IXFT20N60Q参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXFT20N60Q图片1

IXFT20N60Q图片2

IXFT20N60Q概述

TO-268 N-CH 600V 20A

表面贴装型 N 通道 600 V 20A（Tc） 300W（Tc） TO-268

得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A TO268

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin2+Tab TO-268

IXFT20N60Q中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20A

输入电容Ciss 3300pF @25VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFT20N60Q

型号： IXFT20N60Q

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-268 N-CH 600V 20A

替代型号IXFT20N60Q

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXFT20N60Q IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
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