IXTR120P20T参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXTR120P20T概述

ISOPLUS P-CH 200V 90A

通孔 P 通道 200 V 90A（Tc） 595W（Tc） ISOPLUS247™

得捷:
MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247

贸泽:
MOSFET TrenchP Power MOSFET

IXTR120P20T中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 32 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 595W Tc

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 90A

输入电容Ciss 73000pF @25VVds

耗散功率Max 595W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTR120P20T

型号： IXTR120P20T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：ISOPLUS P-CH 200V 90A