N沟道 150V 96A
N-Channel 150V 96A Tc 480W Tc Surface Mount TO-268
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N沟道 150V 96A
得捷:
MOSFET N-CH 150V 96A TO268
贸泽:
MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 96A 3-Pin2+Tab TO-268
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 96A; 480W; TO268
通道数 1
漏源极电阻 24 mΩ
耗散功率 480 W
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 3500pF @25VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 480W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTT96N15P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFV96N15P IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXTT96N15P和IXFV96N15P的区别 |
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