IXFT26N50Q

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IXFT26N50Q概述

TO-268 N-CH 500V 26A

表面贴装型 N 通道 500 V 26A(Tc) 300W(Tc) TO-268


得捷:
MOSFET N-CH 500V 26A TO268


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin2+Tab TO-268


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin2+Tab TO-268


Win Source:
HiPerFET Power MOSFETs


IXFT26N50Q中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 26A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 3900pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFT26N50Q
型号: IXFT26N50Q
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-268 N-CH 500V 26A
替代型号IXFT26N50Q
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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IXYS Semiconductor

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