Trans MOSFET N-CH 1kV 22A 4Pin ISOPLUS 227
N-Channel 1000V 22A Tc 500W Tc Chassis Mount SOT-227B
得捷:
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
贸泽:
MOSFET 22 Amps 1000V 0.39 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 22A 4-Pin ISOPLUS 227
通道数 1
漏源极电阻 390 mΩ
耗散功率 500 W
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 7000pF @25VVds
额定功率Max 500 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 500W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-227-4
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
高度 9.65 mm
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFE24N100 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFN26N100P IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFE24N100和IXFN26N100P的区别 |