IXTP120P065T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTP120P065T概述

TO-220AB P-CH 65V 120A

通孔 P 通道 65 V 120A（Tc） 298W（Tc） TO-220AB

得捷:
MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB

IXTP120P065T中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 298W Tc

漏源极电压Vds 65 V

连续漏极电流Ids 120A

输入电容Ciss 13200pF @25VVds

耗散功率Max 298W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP120P065T

型号： IXTP120P065T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-220AB P-CH 65V 120A

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