IXTT30N50P

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IXTT30N50P概述

Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin2+Tab TO-268

N-Channel 500V 30A Tc 460W Tc Surface Mount TO-268


得捷:
MOSFET N-CH 500V 30A TO268


贸泽:
MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin2+Tab TO-268


DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3


IXTT30N50P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 30.0 A

通道数 1

漏源极电阻 200 mΩ

耗散功率 460 W

输入电容 4.15 nF

栅电荷 70.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 4150pF @25VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 460W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

长度 16.05 mm

宽度 14 mm

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTT30N50P
型号: IXTT30N50P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin2+Tab TO-268
替代型号IXTT30N50P
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