TO-268 N-CH 800V 9A
N-Channel 800V 9A Tc 180W Tc Surface Mount TO-268
得捷:
MOSFET N-CH 800V 9A TO268
贸泽:
MOSFET 9 Amps 800V 1.1W Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin2+Tab TO-268
通道数 1
漏源极电阻 1.1 Ω
极性 N-CH
耗散功率 180 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 9A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 180W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFT9N80Q IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
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