IXFP130N10T2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFP130N10T2概述

N沟道 100V 130A

N-Channel 100V 130A Tc 360W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB

立创商城:
N沟道 100V 130A

贸泽:
MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET 100V 130A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB / N-Channel 100 V 130A Tc 360W Tc Through Hole TO-220-3

IXFP130N10T2中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 9.1 mΩ

耗散功率 360 W

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

上升时间 38 ns

输入电容Ciss 6600pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.83 mm

高度 16 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFP130N10T2

型号： IXFP130N10T2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N沟道 100V 130A

替代型号IXFP130N10T2