IXFR32N80P

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IXFR32N80P概述

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列

IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™


欧时:
### N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


得捷:
MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247


贸泽:
MOSFET 20 Amps 800V 0.29 Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


IXFR32N80P中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 8800pF @25VVds

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFR32N80P
型号: IXFR32N80P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列 IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

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