IXTP26P20P

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IXTP26P20P概述

IXTP 系列 单 P 沟道 200 V 170 mOhm 300 W 功率 Mosfet - TO-220

P-Channel 200V 26A Tc 300W Tc Through Hole TO-220AB


得捷:
MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the IXTP26P20P power MOSFET, developed by Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 300000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin3+Tab TO-220


IXTP26P20P中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 26A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 2740pF @25VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP26P20P
型号: IXTP26P20P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXTP 系列 单 P 沟道 200 V 170 mOhm 300 W 功率 Mosfet - TO-220
替代型号IXTP26P20P
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