IXTH6N120

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IXTH6N120概述

N沟道 1.2kV 6A

通孔 N 通道 1200 V 6A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)


得捷:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO247


立创商城:
N沟道 1.2kV 6A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-247AD


DeviceMart:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD


IXTH6N120中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 1200 V

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 1950pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

宽度 5.3 mm

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTH6N120
型号: IXTH6N120
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N沟道 1.2kV 6A
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