IXTA18P10T

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IXTA18P10T图片3
IXTA18P10T概述

Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3Pin2+Tab TO-263AA

表面贴装型 P 通道 18A(Tc) 83W(Tc) TO-263(IXTA)


得捷:
MOSFET P-CH 100V 18A TO263


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin2+Tab TO-263AA


DeviceMart:
MOSFET P-CH 100V 18A TO-263


Win Source:
MOSFET P-CH 100V 18A TO-263


IXTA18P10T中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 83W Tc

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 2100pF @25VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA18P10T
型号: IXTA18P10T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3Pin2+Tab TO-263AA
替代型号IXTA18P10T
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