IXTX20N150

IXTX20N150图片1
IXTX20N150图片2
IXTX20N150图片3
IXTX20N150概述

N沟道 1.5kV 20A

N-Channel 1500V 20A Tc 1250W Tc Through Hole PLUS247™-3


立创商城:
N沟道 1.5kV 20A


得捷:
MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247-3


艾睿:
Compared to traditional transistors, IXTX20N150 power MOSFETs, developed by Ixys Corporation, are able to both quickly switch between data lines as well as amplify the signals themselves. Its maximum power dissipation is 1250000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 20A 3-Pin3+Tab PLUS 247


IXTX20N150中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1250 W

漏源极电压Vds 1500 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 7800pF @25VVds

下降时间 33 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTX20N150
型号: IXTX20N150
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N沟道 1.5kV 20A
替代型号IXTX20N150
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXTX20N150

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXTK20N150

IXYS Semiconductor

功能相似

IXTX20N150和IXTK20N150的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台