IXFN160N30T

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IXFN160N30T概述

Trans MOSFET N-CH 300V 130A Automotive 4Pin SOT-227B

N-Channel 300V 130A Tc 900W Tc Chassis Mount SOT-227B


得捷:
MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 300V 130A Automotive 4-Pin SOT-227B


Verical:
Trans MOSFET N-CH 300V 130A 4-Pin SOT-227B


IXFN160N30T中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 900 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 300 V

上升时间 38 ns

输入电容Ciss 28000pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 900W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

宽度 25.42 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFN160N30T
型号: IXFN160N30T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans MOSFET N-CH 300V 130A Automotive 4Pin SOT-227B
替代型号IXFN160N30T
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXFN160N30T

IXYS Semiconductor

当前型号

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