IXTP44N10T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTP44N10T概述

通孔 N 通道 100V 44A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB

N-Channel 100V 44A Tc 130W Tc Through Hole TO-220AB

立创商城:
N沟道 100V 44A

得捷:
MOSFET N-CH 100V 44A TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin3+Tab TO-220

IXTP44N10T中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 130W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 44A

上升时间 47 ns

输入电容Ciss 1262pF @25VVds

下降时间 32 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 130W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP44N10T

型号： IXTP44N10T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：通孔 N 通道 100V 44A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB

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