N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列
一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™
欧时:
MOSFET 600V 66A Polar3 HiPerFET SOT227B
得捷:
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 66 A, 0.077 ohm, SOT-227B, 模块
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 66A 4-Pin SOT-227B
针脚数 4
漏源极电阻 0.077 Ω
极性 N-CH
耗散功率 960 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 66A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 13100pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 960W Tc
安装方式 Panel
引脚数 4
封装 SOT-227-4
长度 38.23 mm
宽度 25.07 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFN80N60P3 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFN72N55Q2 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFN80N60P3和IXFN72N55Q2的区别 |