TO-247AD N-CH 800V 13A
N-Channel 800V 13A Tc Through Hole TO-247AD IXFH
得捷:
MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin3+Tab TO-247AD
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 300W; TO247AD
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 800V 13A 3-Pin3+Tab TO-247AD
额定电压DC 800 V
额定电流 13.0 A
额定功率 300 W
通道数 1
漏源极电阻 800 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 4200pF @25VVds
下降时间 32 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
宽度 5.3 mm
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99