IXFN32N80P概述
SOT-227B N-CH 800V 29A
N-Channel 800V 29A Tc 625W Tc Chassis Mount SOT-227B
得捷:
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
贸泽:
MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 29A 4-Pin SOT-227B
IXFN32N80P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 270 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 625 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 29A
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 8820pF @25VVds
额定功率Max 625 W
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 625W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IXFN32N80P