N沟道 40V 600A
N-Channel 40V 600A Tc 1250W Tc Through Hole PLUS247™-3
立创商城:
N沟道 40V 600A
得捷:
MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247-3
贸泽:
Gate Drivers GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
输出接口数 1
输出电压 40 V
输出电流 600 A
供电电流 200 A
极性 N-CH
耗散功率 1250 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 600A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 40000pF @25VVds
额定功率Max 1250 W
下降时间 250 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1250W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTX600N04T2 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTK600N04T2 IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTX600N04T2和IXTK600N04T2的区别 |