IXTH160N15T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTH160N15T概述

TO-247 N-CH 150V 160A

N-Channel 150V 160A Tc 830W Tc Through Hole TO-247 IXTH

得捷:
MOSFET N-CH 150V 160A TO247

Win Source:
MOSFET N-CH 150V 160A TO-247

IXTH160N15T中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 830W Tc

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 160A

输入电容Ciss 8800pF @25VVds

耗散功率Max 830W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IXTH160N15T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-247 N-CH 150V 160A

替代型号IXTH160N15T

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IXTH160N15T

IXYS Semiconductor

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