IXFN170N30P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFN170N30P概述

SOT-227B N-CH 300V 138A

N-Channel 300V 138A Tc 890W Tc Chassis Mount SOT-227B

得捷:
MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 300V 138A 4-Pin SOT-227B

IXFN170N30P中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 890W Tc

漏源极电压Vds 300 V

连续漏极电流Ids 138A

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 20000pF @25VVds

额定功率Max 890 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 890W Tc

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFN170N30P

型号： IXFN170N30P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：SOT-227B N-CH 300V 138A

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