TO-220AB P-CH 50V 32A
P-Channel 50V 32A Tc 83W Tc Through Hole TO-220AB
得捷:
MOSFET P-CH 50V 32A TO220AB
贸泽:
MOSFET 32 Amps 50V 0.036 Rds
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin3+Tab TO-220AB
通道数 1
漏源极电阻 39 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 83 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 50 V
漏源击穿电压 50 V
连续漏极电流Ids 32A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 1975pF @25VVds
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
高度 16 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTP32P05T IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTA32P05T IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTP32P05T和IXTA32P05T的区别 |
IXTY32P05T IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTP32P05T和IXTY32P05T的区别 |