IXFB50N80Q2概述
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q 系列N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q 系列
N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™
得捷:
MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
欧时:
IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFB50N80Q2, 50 A, Vds=800 V, 3引脚 PLUS264封装
贸泽:
MOSFET 50 Amps 800V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 50A 3-Pin3+Tab PLUS 264
DeviceMart:
MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
IXFB50N80Q2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 150 mΩ
耗散功率 890 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 7200pF @25VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1135W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
高度 26.59 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IXFB50N80Q2
型号： IXFB50N80Q2
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备