IXTN21N100参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTN21N100概述

SOT-227B N-CH 1000V 21A

N-Channel 1000V 21A Tc 520W Tc Chassis Mount SOT-227B

得捷:
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 4-Pin SOT-227B

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 21A 4-Pin SOT-227B

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 21A; 520W; SOT227B

IXTN21N100中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 1.00 kV

额定电流 21.0 A

额定功率 520 W

极性 N-Channel

耗散功率 520W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 21.0 A

上升时间 50.0 ns

输入电容Ciss 8400pF @25VVds

额定功率Max 520 W

耗散功率Max 520W Tc

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 3

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTN21N100

型号： IXTN21N100

制造商： IXYS Semiconductor

描述：SOT-227B N-CH 1000V 21A

替代型号IXTN21N100