IXFN32N100P

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IXFN32N100P概述

IXFN32 系列 N 沟道 1000 V 27 A 320 mOhm Mosfet - SOT-227B

底座安装 N 通道 27A(Tc) 690W(Tc) SOT-227B


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 27A 4-Pin SOT-227B


富昌:
N-Channel 1000 V 27 A 320 mOhm Mosfet - SOT-227B


IXFN32N100P中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 690 W

漏源极电压Vds 1000 V

上升时间 55 ns

输入电容Ciss 14200pF @25VVds

额定功率Max 690 W

下降时间 43 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 690W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFN32N100P
型号: IXFN32N100P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXFN32 系列 N 沟道 1000 V 27 A 320 mOhm Mosfet - SOT-227B
替代型号IXFN32N100P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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