IXTY12N06TTRL参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXTY12N06TTRL概述

Mosfet n-Ch 60V 12A To-252

表面贴装型 N 通道 60 V 12A（Tc） 33W（Tc） TO-252

得捷:
MOSFET N-CH 60V 12A TO252

IXTY12N06TTRL中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 33W Tc

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 256pF @25VVds

耗散功率Max 33W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTY12N06TTRL

型号： IXTY12N06TTRL

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Mosfet n-Ch 60V 12A To-252

替代型号IXTY12N06TTRL

型号/品牌

代替类型

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IXTY12N06TTRL

IXYS Semiconductor

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IXTY12N06T

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IXTY12N06TTRL和IXTY12N06T的区别