IXFT30N60Q参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXFT30N60Q图片1

IXFT30N60Q图片2

IXFT30N60Q概述

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin2+Tab TO-268

表面贴装型 N 通道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-268AA

得捷:
MOSFET N-CH 600V 30A TO268

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin2+Tab TO-268

IXFT30N60Q中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 500W Tc

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 4700pF @25VVds

耗散功率Max 500W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFT30N60Q

型号： IXFT30N60Q

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin2+Tab TO-268

替代型号IXFT30N60Q

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXFT30N60Q IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXFT30N60P IXYS Semiconductor	类似代替	IXFT30N60Q和IXFT30N60P的区别
IXTT30N60P IXYS Semiconductor	类似代替	IXFT30N60Q和IXTT30N60P的区别
IXFH30N60P IXYS Semiconductor	功能相似	IXFT30N60Q和IXFH30N60P的区别