IXFA130N10T2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFA130N10T2概述

TO-263AA 100V 130A

N-Channel 100V 130A Tc 360W Tc Surface Mount TO-263 IXFA

得捷:
MOSFET N-CH 100V 130A TO263

贸泽:
MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET

IXFA130N10T2中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 9.1 mΩ

耗散功率 360W Tc

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 130A

输入电容Ciss 6600pF @25VVds

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFA130N10T2

型号： IXFA130N10T2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-263AA 100V 130A

替代型号IXFA130N10T2