IXFQ10N80P参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXFQ10N80P图片4

IXFQ10N80P概述

TO-3P N-CH 800V 10A

N-Channel 800V 10A Tc Through Hole TO-3P

得捷:
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin3+Tab TO-3P

IXFQ10N80P中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 10A

输入电容Ciss 2050pF @25VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFQ10N80P

型号： IXFQ10N80P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-3P N-CH 800V 10A

替代型号IXFQ10N80P

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXFQ10N80P IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXFP10N80P IXYS Semiconductor	类似代替	IXFQ10N80P和IXFP10N80P的区别
IXFA10N80P IXYS Semiconductor	功能相似	IXFQ10N80P和IXFA10N80P的区别
IXFH10N80P IXYS Semiconductor	功能相似	IXFQ10N80P和IXFH10N80P的区别