N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列
IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™
### MOSFET ，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
得捷:
MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247
欧时:
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR64N60P, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 36A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
额定电压DC 600 V
额定电流 64.0 A
漏源极电阻 105 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 320 W
输入电容 1.15 nF
栅电荷 200 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 36.0 A
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 12000pF @25VVds
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 320W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFR64N60P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
STW34NM60N 意法半导体 | 功能相似 | IXFR64N60P和STW34NM60N的区别 |
IXFL70N60Q2 IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXFR64N60P和IXFL70N60Q2的区别 |