IXFR180N07

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IXFR180N07中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 6 mΩ

耗散功率 400 W

漏源极电压Vds 70 V

漏源击穿电压 70 V

上升时间 90 ns

输入电容Ciss 9400pF @25VVds

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 417W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFR180N07
型号: IXFR180N07
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans MOSFET N-CH 70V 180A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

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