IXTT140N10P

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IXTT140N10P概述

IXTT 系列 单通道 N 沟道 100 V 11 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-268

N-Channel 100V 140A Tc 600W Tc Surface Mount TO-268


得捷:
MOSFET N-CH 100V 140A TO268


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this IXTT140N10P power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 600000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin2+Tab TO-268


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 140A TO-268


IXTT140N10P中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 600 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 140A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 4700pF @25VVds

额定功率Max 600 W

下降时间 26 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTT140N10P
型号: IXTT140N10P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXTT 系列 单通道 N 沟道 100 V 11 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-268
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