IXFT80N20Q参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFT80N20Q概述

Trans MOSFET N-CH 200V 80A 3Pin2+Tab TO-268

N-Channel 200V 80A Tc 360W Tc Surface Mount TO-268

得捷:
MOSFET N-CH 200V 80A TO268

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 80A 3-Pin2+Tab TO-268

IXFT80N20Q中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 360W Tc

漏源极电压Vds 200 V

输入电容Ciss 4600pF @25VVds

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFT80N20Q

型号： IXFT80N20Q

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 200V 80A 3Pin2+Tab TO-268

替代型号IXFT80N20Q