IXTY26P10T

IXTY26P10T图片1
IXTY26P10T图片2
IXTY26P10T概述

DPAK P-CH 100V 26A

表面贴装型 P 通道 26A(Tc) 150W(Tc) TO-252


得捷:
MOSFET P-CH 100V 26A TO252


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this IXTY26P10T power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 150000 mW. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 26A 3-Pin2+Tab DPAK


Win Source:
MOSFET P-CH 100V 26A TO-252


IXTY26P10T中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 26A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 3820pF @25VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTY26P10T
型号: IXTY26P10T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:DPAK P-CH 100V 26A
替代型号IXTY26P10T
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