IXTQ36N30P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTQ36N30P概述

N沟道 300V 36A

N-Channel 300V 36A Tc 300W Tc Through Hole TO-3P

立创商城:
N沟道 300V 36A

得捷:
MOSFET N-CH 300V 36A TO3P

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin3+Tab TO-3P

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO3P

DeviceMart:
MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P

Win Source:
MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P

IXTQ36N30P中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 300 V

连续漏极电流Ids 36A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 2250pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTQ36N30P

型号： IXTQ36N30P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N沟道 300V 36A

替代型号IXTQ36N30P