IXFH6N120

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IXFH6N120概述

TO-247AD N-CH 1200V 6A

通孔 N 通道 6A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)


得捷:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD


贸泽:
MOSFET 6 Amps 1200V 2.4 Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-247AD


IXFH6N120中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 2.6 Ω

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 1200 V

漏源击穿电压 1200 V

连续漏极电流Ids 6A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 1950pF @25VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFH6N120
型号: IXFH6N120
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-247AD N-CH 1200V 6A
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