IXKN75N60C

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IXKN75N60C概述

SOT-227B N-CH 600V 75A

底座安装 N 通道 600 V 75A(Tc) 560W(Tc) SOT-227B


得捷:
MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this IXKN75N60C power MOSFET from Ixys Corporation. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with coolmos technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


TME:
Module; single transistor; Uds:600V; Id:50A; SOT227B; 560W; screw


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 75A 4-Pin SOT-227B


IXKN75N60C中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 560W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 75A

上升时间 30 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 560W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXKN75N60C
型号: IXKN75N60C
制造商: IXYS Semiconductor
描述:SOT-227B N-CH 600V 75A
替代型号IXKN75N60C
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