IXFX170N20T

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IXFX170N20T概述

PLUS N-CH 200V 170A

通孔 N 通道 200 V 170A(Tc) 1150W(Tc) PLUS247™-3


得捷:
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3


贸泽:
MOSFET 170A 200V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 170A Automotive 3-Pin3+Tab PLUS 247


IXFX170N20T中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1150W Tc

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 170A

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 19600pF @25VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFX170N20T
型号: IXFX170N20T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:PLUS N-CH 200V 170A
替代型号IXFX170N20T
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