IXTR40P50P

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IXTR40P50P概述

ISOPLUS P-CH 500V 22A

P-Channel 500V 22A Tc 312W Tc Through Hole ISOPLUS247™


得捷:
MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS247


贸泽:
MOSFET -22.0 Amps -500V 0.260 Rds


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 500V 22A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


富昌:
IXTR40P50P 系列 500 V 260 mOhm P 沟道 增强模式 功率 MOSFET


IXTR40P50P中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 260 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 312W Tc

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 22A

输入电容Ciss 11500pF @25VVds

耗散功率Max 312W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTR40P50P
型号: IXTR40P50P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:ISOPLUS P-CH 500V 22A

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