IXFE180N20参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFE180N20概述

Trans MOSFET N-CH 200V 158A 4Pin ISOPLUS 227

N-Channel 200V 158A Tc 500W Tc Chassis Mount SOT-227B

得捷:
MOSFET N-CH 200V 158A SOT227B

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 158A 4-Pin ISOPLUS 227

IXFE180N20中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 500W Tc

漏源极电压Vds 200 V

输入电容Ciss 14400pF @25VVds

耗散功率Max 500W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFE180N20

型号： IXFE180N20

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 200V 158A 4Pin ISOPLUS 227