IXTA12N50P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTA12N50P概述

N-Channel 500V 12A 500mΩ Surface Mount Polar Power Mosfet - TO-263

N-Channel 500V 12A Tc 200W Tc Surface Mount TO-263 IXTA

得捷:
MOSFET N-CH 500V 12A TO263

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263

DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK

IXTA12N50P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 12.0 A

耗散功率 200W Tc

输入电容 1.69 nF

栅电荷 29.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 1830pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA12N50P

型号： IXTA12N50P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N-Channel 500V 12A 500mΩ Surface Mount Polar Power Mosfet - TO-263

替代型号IXTA12N50P