IXTH2N170D2概述
单 N-沟道 1700 V 6.5 Ohm 110 nC 568 W 功率 Mosfet - TO-247-3
通孔 N 通道 2A（Tj） 568W（Tc） TO-247（IXTH）
得捷:
MOSFET N-CH 1700V 2A TO247
贸泽:
MOSFET N-channel MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.7KV 2A 3-Pin3+Tab TO-247AD
IXTH2N170D2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 6.5 Ω
极性 N-CH
耗散功率 568W Tc
漏源极电压Vds 1700 V
漏源击穿电压 1700 V
连续漏极电流Ids 2A
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 3650pF @10VVds
额定功率Max 568 W
下降时间 106 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 568W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IXTH2N170D2
型号： IXTH2N170D2
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：单 N-沟道 1700 V 6.5 Ohm 110 nC 568 W 功率 Mosfet - TO-247-3