IXTH130N10T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTH130N10T概述

TO-247 N-CH 100V 130A

N-Channel 100V 130A Tc 360W Tc Through Hole TO-247 IXTH

得捷:
MOSFET N-CH 100V 130A TO247

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin3+Tab TO-247

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 130A TO-247

IXTH130N10T中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 360W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 130A

上升时间 47 ns

输入电容Ciss 5080pF @25VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTH130N10T

型号： IXTH130N10T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-247 N-CH 100V 130A

替代型号IXTH130N10T