IXTA130N10T-TRL

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IXTA130N10T-TRL概述

Mosfet n-Ch 100V 130A To263

表面贴装型 N 通道 130A(Tc) 360W(Tc) TO-263(IXTA)


得捷:
MOSFET N-CH 100V 130A TO263


IXTA130N10T-TRL中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 360W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 5080pF @25VVds

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IXTA130N10T-TRL
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Mosfet n-Ch 100V 130A To263
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