IXTP80N075L2

IXTP80N075L2图片1
IXTP80N075L2概述

TO-220 N-CH 75V 80A

N-Channel 75V 80A Tc 357W Tc Through Hole TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB


贸泽:
MOSFET


IXTP80N075L2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 24 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 357 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 3600pF @25VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 357W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买IXTP80N075L2
型号: IXTP80N075L2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-220 N-CH 75V 80A

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