IXTN210P10T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTN210P10T概述

SOT-227B P-CH 100V 210A

底座安装 P 通道 100 V 210A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B

得捷:
MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 210A

TME:
Module; single transistor; Uds: -100V; Id: -210A; SOT227B; 830W

IXTN210P10T中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 830W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 210A

上升时间 98 ns

输入电容Ciss 69500pF @25VVds

下降时间 55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 830W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTN210P10T

型号： IXTN210P10T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：SOT-227B P-CH 100V 210A