IXTN120N25参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXTN120N25概述

Trans MOSFET N-CH 250V 120A 4Pin SOT-227B

底座安装 N 通道 250 V 120A（Tc） 730W（Tc） SOT-227B

得捷:
MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B

贸泽:
MOSFET 120 Amps 250V 0.02 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 120A 4-Pin SOT-227B

IXTN120N25中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 20 mΩ

耗散功率 -

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

输入电容Ciss 7700pF @25VVds

额定功率Max 730 W

封装参数

安装方式 Chassis

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 31.88 mm

宽度 25.25 mm

高度 12.22 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTN120N25

型号： IXTN120N25

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 250V 120A 4Pin SOT-227B