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IXTP10P15T图片1

IXTP10P15T概述

TO-220AB P-CH 150V 10A

通孔 P 通道 150 V 10A（Tc） 83W（Tc） TO-220-3

得捷:
MOSFET P-CH 150V 10A TO220AB

贸泽:
MOSFET TenchP Power MOSFET

IXTP10P15T中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 350 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 83W Tc

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

连续漏极电流Ids 10A

输入电容Ciss 2210pF @25VVds

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP10P15T

型号： IXTP10P15T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-220AB P-CH 150V 10A

替代型号IXTP10P15T

型号/品牌

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替代型号对比

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IXYS Semiconductor

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