IXFH16N120P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFH16N120P概述

N沟道 1.2kV 16A

N-Channel 1200V 16A Tc 660W Tc Through Hole TO-247AD IXFH

得捷:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD

立创商城:
N沟道 1.2kV 16A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin3+Tab TO-247

Win Source:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247

IXFH16N120P中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 660W Tc

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 16A

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 6900pF @25VVds

额定功率Max 660 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 660W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

宽度 5.3 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFH16N120P

型号： IXFH16N120P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N沟道 1.2kV 16A

替代型号IXFH16N120P